单晶硅烘干方案 多晶硅光伏板

单晶硅片烘干设备 微波硅片烘干设备
在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑。
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mass market）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
目前主要用于LCD透明导电玻璃，建筑LOW-E 玻璃以及微电子产业。

作为重要的功能薄膜材料，它们具有良好的硬度，光学，介电性质及耐磨，抗蚀等特性。

靶材广泛应用于半导体显示（TFT)、半导体芯片、光伏太阳能、光学光通讯、低辐射玻璃、手机装饰镀、计算机硬盘等行业。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。
介质材料由性分子和非性分子组成，在电磁场作用下，这些性分子从原来的随机分布状态转向按照电场的性排列取向。在高频电磁作用下，这些取向按交变电磁场的变化而变化，这一过程致使分子的运动和相互磨擦从而产生热量。此时交变电磁场的场能转化为介质内的热动能，使介质温度不断升高，这就是微波加热的基本原理。
由此可见微波加热是介质材料自身损耗电场能量而发热，对于导电的金属材料，电波不能透入内部而被反射，金属材料不能吸收微波。介质材料，因其介质电常数εr和介质损耗角正切值tgδ不同，在微波电磁场作用下效果也不一样。

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