MCC56-18io1BIXYS可控硅经销商

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

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●N系列相控可控硅（Phase Control Thyristors） 
●R系列快速可控硅（Distributed Gate Thyristors） 
●SM系列快速二极管（Fast Recovery Diodes） 
●SW系列普通二极管（Rectifier Diodes） 
N170CH12-16 N195CH12-16 N275CH02-08 N282CH20-25 N281CH12-18
N280CH12-16 N283CH12-14 N310CH02-06 N255CH36-45 N257CH26-42
N260CH30-36 N330CH20-26 N350CH12-18 N370CH12-18 **20CH12-16
N320CH40-45 N360CH30-38 N390CH30-32 N450CH20-26 N490CH20-26
**10CH16-20 **40CH12-18 **00CH12-16 **10CH06-10 **00CH30-42
**70CH30-36 **80CH20-26 N740CH12-16 **60CH40-45 **30CH30-36
**40CH24-30 N760CH18-22 N990CH12-16 N750CH40-45 N850CH30-36
N880CH24-30 N900CH20-26 N1400CH02-20 N1600CH08-12 N1463CH36-42
N1663CH30-35 N1863CH20-28 N1483CH36-42 N1683CH29-35

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加

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